这2年，台积电、三星在优秀工艺上奋勇争先，下一步大比拼的便是3nm、2nm。

三星先前早已公布，3nm3GAE低功耗版2022年初量产，3nm3GAP高性能版2023年初量产，2nm2GAP2025年量产。

台积电CEO魏哲家全新公布表明，台积电3nmN3将在2021年内风险试生产，2022年后半年规模性量产，2023年第一季度得到 实际工资。

台积电N33nm工艺将是N55nm以后的全新升级连接点，称为通过相对密度可提升70％，同样功耗下性能可提高10-15％，同样性能下功耗可减少25-30％，而且应用更几层的EUV光刻技术(不少于N514层)，因而更为复杂，全部工艺步骤的工艺流程超出1000道。

N3还会继续发展出一个N3E版本号，能够视作增强版，有更强的性能、功耗、产品合格率，与此同时制定和IP上彻底兼容N3，2024年量产。

台积电的N22nm工艺一直较为神密，官方网先前仅仅确定会考虑到应用GAAFET(围绕栅压场效晶体三极管)，但从没确立是不是确实越马。

依照魏哲家的全新观点，N2工艺将在2025年量产，并注重不管集成化相对密度或是性能全是业界较好的，但未得出实际指标值。

以前预估台积电2nm2024年就能量产，結果如今节奏感也变缓了，和三星基本上同歩，就看谁的呈现更强了，自然也有昂贵的费用难题。